首页> 外文会议>International Symposium on in Abrasive Technology >Research on Double Sided Polishing Technology for Silicon Wafer
【24h】

Research on Double Sided Polishing Technology for Silicon Wafer

机译:硅晶片双面抛光技术研究

获取原文

摘要

Double sided polishing is one of the main processes to access ultra-smooth surface of semiconductor wafers. This paper introduces the key technologies of developing double sided polishing machine for 4" wafers, and analyzed the polishing processes for 4" Si wafers base on the machine developed. Experiment results showed that the equipment can finish a batch 4" Si wafers (thickness 0.5mm) in 40 minutes, the average removal rate is 0.25μ/min, and the surface quality can reach Ra 0.401nm, GFLD ±1.63μm.
机译:双面抛光是访问半导体晶片超光滑表面的主要过程之一。 本文介绍了4“晶片的双面抛光机的关键技术,并分析了开发的机器上的4”Si晶圆的抛光过程。 实验结果表明,设备可以在40分钟内完成批次4“Si晶片(厚度0.5mm),平均去除率为0.25μ/ min,表面质量可以达到Ra 0.401nm,GFLD±1.63μm。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号