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硅晶片双面超精密化学机械抛光

             

摘要

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.

著录项

  • 来源
    《半导体学报 》 |2006年第z1期|396-399|共4页
  • 作者单位

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

    纳米技术研究室;

    信息功能材料国家重点实验室;

    上海;

    200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

    纳米技术研究室;

    信息功能材料国家重点实验室;

    上海;

    200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

    纳米技术研究室;

    信息功能材料国家重点实验室;

    上海;

    200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

    纳米技术研究室;

    信息功能材料国家重点实验室;

    上海;

    200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

    纳米技术研究室;

    信息功能材料国家重点实验室;

    上海;

    200050;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 表面处理 ;
  • 关键词

    硅晶片; 双面抛光; 化学机械抛光; 抛光液;

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