AlN単結晶上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の発光特性

摘要

(Al,Ga)N系深紫外LEDの内部量子効率向上には、禁制帯中央付近に準位を形成するすべての再結合中心(MGRC)の濃度低減が必須である。幸い、低転位密度(< 10~4 cm~(-2)) AlN基板が手に入るため、転位以外の点欠陥や不純物が発光特性に及ぼす影響の研究が行える。AlNの場合Al空孔(VAl)とN空孔(VN)の複合体だけでなくVAlと不純物の複合欠陥[もMGRCとなることが報告されており不純物と点欠陥双方の低減が必要である。本発表では、物理気相輸送(PVT)成長c面AlN上にHVPEで厚膜AlNを成長させPVT部を除去した、低転位密度と低炭素濃度を両立するAlNウエハの陰極線蛍光(CL)及び陽電子消滅測定結果を報告する。