Ir触媒を用いたホットウォールCVD法によるSi基板上への単層カーボンナノチューブの成長

摘要

我々の研究室ではこれまで、コールドウォールCVD法によるIr触媒からの単層カーボンナノチューブ（SWCNT）成長を報告してきた。今回，コスト的に有利なホットウォールCVD法を用いて、Si基板上に堆積させたIr触媒からのSWCNT成長を試みた。特にエタノールの流量と成長温度が SWCNT成長に与える影響について調べた。