テラヘルツトランジスタレーザー高性能化に向けたエピタキシャルグラフェン成長プロセスの改良と評価

摘要

我々は特異な光電子特性を有しているグラフェンを利得媒質とする，新たなテラヘルツ光源の開発を進めている．テラヘルツ帯で利得を得るためには，キャリア運動量緩和時間が長いこと，すなわちグラフェンの結晶品質が高いことが必要である．本研究では，SiC 基板の熱分解でグラフェンを得るエピタキシャルグラフェン(EG)法を用い，その製膜条件を検討することでエピタキシャルグラフェン結晶の高品質化・大面積化を図った．