配位子交換によりエネルギー準位を制御したP b S コロイダルナノドットを電荷蓄積層に用いたペンタセンメモリトランジスタ

摘要

われわれは、Fig. 1 に示すようにペンタセン薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁層と半導体層の界面にPbS コロイダルナノドット(CND)の単粒子層を形成し、そこに電荷を蓄積することによって閾値電圧(VT)をシフトさせるメモリ素子を検討している。従来、VT のシフトが飽和するまでには300 s 程度の長い記録時間が必要であった。前回は、PbS CND の配位子を交換することによってそのエネルギー準位を低下させ、記録時間を50 s 程度に短縮すると同時に保持特性も改善することができた。今回はPbS CND のコア径を2.5 nm から8 nm と大きくするとともに記録時の電界を強くすることによって記録時間を大きく短縮することができたので報告する。