フレキシブル基板上に形成した酸化物薄膜の繰り返し曲げ耐久性評価とX線回折による構造解析

摘要

IoT 社会の実現に向けて様々な分野での応用が期待されているフレキシブルデバイスの研究が盛hに行われている．特に，酸化物半導体を用いることで a-Si や有機半導体に比べ高い電子移動度や透過性などで有利であり，室温で成膜することも可能である[1]．我々は，酸化物半導体の中でもZnOに注目し，Alを添加したZnO（AZO）を用い，繰り返し曲げた際の表面状態の観察や2端子抵抗測定を行い，曲げ耐久性を評価した[2]．今回，繰り返し曲げた際の薄膜の状態を微小角入射 X 線回折（GI-XRD）により構造解析を行ったので，その結果について報告する．