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【24h】

SPICE model parameters extraction taking into account the ionizing radiation effects

机译:Spice模型参数提取考虑到电离辐射效应

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摘要

Universal SPICE macro-model of Si bipolar junction transistor (BJT) and SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) taking into account total irradiation dose effects is presented. A method of macro-model radiation-dependent parameters extraction from the measured data is described. The advantage of the proposed method is simplicity of parameter definition. Simulated and measured transistor characteristics are in a good agreement.
机译:考虑到总辐照剂量效果,介绍了Si双极结晶体管(BJT)和SiGe异质结双极晶体管(HBT)的通用Spice宏观模型。 描述了一种从测量数据提取的宏模型辐射相关参数的方法。 所提出的方法的优点是参数定义的简单性。 模拟和测量的晶体管特性是良好的一致性。

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