heteroepitaxial growths; surface morphology; polytypes; Monte Carlo simulations;
机译:蒙特卡洛研究3C-SiC在取向错误的<11-20>和<1-100> 6H-SiC衬底上的早期生长阶段:阶跃孤岛相互作用的作用
机译:蒙特卡洛研究3C-SiC在取向错误的<11-20>和<1-100> 6H-SIC衬底上的早期生长阶段
机译:使用动力学蒙特卡洛方法对图案化的硅衬底上高温下Ge团簇的早期生长进行计算机模拟
机译:Monte Carlo研究了3C-SiC的早期生长阶段,在有吸白的<11-20>和<1-100> 6h-SiC基板上
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:蒙特卡罗研究底物诱导的格子蛋白折叠和再折叠
机译:蒙特卡洛研究能量在1-100 TeV范围内的大型风淋中粒子的到达时间分布