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【24h】

HPPMSを用いたSpindt型エミッタ作製におけるキャビティ構造の影響

机译:使用HPPMS的Spindt型发射器制备的腔体结构的影响

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摘要

真空電子源のひとつであるSpindt型エミッタ陰極は、上部にホールの開いた微細キャビティを基板上に形成し、ホールを通して材料となる金属をキャビティ内部に堆積させて作製する。本研究ではこれまで、レジストを用いたキャビティに大電力パルススパッタ装置を用いて Mo を堆積させ、エミッタ陰極形成の最適条件を決定した。しかし、圧縮応力によってキャビティの変形や膜の剥離が起き、エミッタの形状が悪化した。応力緩和のため、放電ガスをArからKrに変更して成膜を試みたが、先鋭な形状のエミッタ作製には至らなかった。そこで、膜が剥離しない条件を維持しつつ、キャビティの材質や構造を変更することで、エミッタ形状の向上を試みた。
机译:作为真空电子源之一的SPINDT型发射极阴极在基板上形成在基板上,并且通过沉积在腔内的金属材料来制造通过孔的金属。在该研究中,使用抵抗力使用大功率脉冲溅射装置将Mo沉积到腔中,并且测定发射极阴极形成的最佳条件。然而,压缩应力导致腔的变形和膜的剥离导致发射器的形状。由于应力浮雕,将放电气体从AR改变为KR至Kr,但它没有达到尖锐形状的发射极性制造。因此,在保持膜不剥离的条件下,腔的材料和结构被改变以改善发射极形状。

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