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【24h】

Si-Cr+Co溶媒からの高品質'高速SiC溶液成長

机译:Si-Cr + Co溶剂的高质量'高速SiC溶液生长

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摘要

転位密度の低い高品質なSiC結晶成長を作製するうえで、溶液成長法は有望である が成長速度の向上が課題である。そのためにSi溶媒にCrなどの溶剤金属を添加[1]して炭素溶解度 を高める方法が用いられており、一方で安定した成長に向けてSi-Cr溶媒にAlを添加[2]するなど、 様々な金属を添加する方法が試行されている。我々はSi-Cr溶媒を中心に様々な溶媒の炭素溶解度 を実測し、Coを添加することで高い炭素溶解度を示すことを見い出している[3'4]。本研究では、 Si0.6Cr0.4およびCoを加えたSi0.56Cr0.4Co0.04の溶媒によるSiC溶液成長を行い、結晶の成長速度お よび表面状態の変化を検討した。
机译:为了产生具有低位脱位密度的高质量SiC晶体生长,溶液生长方法很有希望,但增长率的提高是一个问题。因此,添加溶剂金属如Cr作为Si溶剂[1]以增加碳溶解度,同时向Si-Cr溶剂加入稳定的生长[2]等。已经尝试添加各种金属的方法。 。我们已经测量了各种溶剂,主要是Si-Cr溶剂的碳溶解度,并发现它通过添加CO [3'4]表现出高碳溶解度。在该研究中,SiC溶液生长由SiO 4,40.4和CO 0.4 CO 0.4 CO 0.4的溶剂进行,并检查晶体的生长速率和表面状况。

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