机译:SiC大口径,高品质晶体,长6英寸长,位错密度低,取得了优异的结果“气化法”达到4英寸,40毫米,“固溶法”找到了最佳条件
机译:SiC大直径,高质量的晶体,大型结果,6英寸长,低位脱位密度实现“气化方法”,实现4英寸,40毫米,并“解决方法”也找到最佳条件
机译:(S033)CR-Si合金溶剂热导率对SiC溶液生长生长界面的影响
机译:从Si-Cr + Co溶剂中生长出高质量的快速SiC溶液
机译:从陨石的化学和同位素组成中查看原始太阳星云的进化利用统计数据
机译:纯铜和含人血液的氯化铜水溶液中生成的蓝色和绿色水合氯化铜晶体的晶体结构:单晶X射线结构分析和差示扫描量热法