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【24h】

Si-Cr+Co溶媒からの高品質'高速SiC溶液成長

机译:从Si-Cr + Co溶剂中生长出高质量的快速SiC溶液

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摘要

転位密度の低い高品質なSiC結晶成長を作製するうえで、溶液成長法は有望である が成長速度の向上が課題である。そのためにSi溶媒にCrなどの溶剤金属を添加[1]して炭素溶解度 を高める方法が用いられており、一方で安定した成長に向けてSi-Cr溶媒にAlを添加[2]するなど、 様々な金属を添加する方法が試行されている。我々はSi-Cr溶媒を中心に様々な溶媒の炭素溶解度 を実測し、Coを添加することで高い炭素溶解度を示すことを見い出している[3'4]。本研究では、 Si0.6Cr0.4およびCoを加えたSi0.56Cr0.4Co0.04の溶媒によるSiC溶液成長を行い、結晶の成長速度お よび表面状態の変化を検討した。
机译:尽管溶液生长方法有望用于以低位错密度产生高质量的SiC晶体生长,但是提高生长速率仍然是一个问题。因此,使用了一种通过向Si溶剂中添加诸如Cr [1]之类的溶剂金属来增加碳溶解度的方法,同时向Si-Cr溶剂[2]中添加Al以稳定地生长。已经尝试了添加各种金属的方法。我们测量了以Si-Cr溶剂为中心的各种溶剂的碳溶解度,发现添加Co显示出高的碳溶解度[3'4]。在这项研究中,通过在含有Si0.6Cr0.4和Co的Si0.56Cr0.4Co0.04溶剂中进行SiC溶液生长来研究晶体生长速率和表面状态的变化。

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