アニオン性ジアリールイリジウム錯体の合成と構造

摘要

遷移金属上に負電荷を有するアニオン性遷移金属錯体は、中性およびカチオン性錯体に比べ、その研究は立ち遅れている。当研究室では、ロジウム触媒によるビニルエーテル類とアリールGrignard 試薬のカップリング反応を開発し、その鍵中間体であるアニオン性ジアリールロジウム錯体(I)の合成およびその構造を報告した1)。