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ナノ材料の電気特性計測のための二次元バーコード座標マーカー基板の作製

机译:用于纳米材料电特性测量的二维条形码坐标标记基板的制造

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摘要

カーボンナノチューブ(CNT)や半導体ナノワイヤ、原子層材料など、様々なナノスケールの一次元?二次元物質が発見?開発され、それらの電子物性測定や電子素子への応用研究が活発になっている[1]。これらの物質一つ一つに制御性よく電極を取り付けるには、基板上に材料を分散させた後、走査型電子顕微鏡(SEM)や原子間力顕微鏡(AFM)で物質の基板上での位置決めを行い、電子線(EB)リソグラフィーなどで電極を取り付ける方法が用いられる。多くの物質は、SEM観察による電子線照射でダメージを受けるため、AFMの利用が好ましいが、AFMでは視野が狭いことにくわえ、基板上での観察位置を特定することが難しく、実際の作業工程には労力を要する。本研究では、この問題を解決するため、位置情報を二次元(2D)バーコードパターンとして埋め込hだ基板を開発し、実際に基板上に分散させたCNTに電極を取り付けて電気的特性の測定を行った。
机译:碳纳米管(CNT)或半导体纳米线,诸如原子层材料,各种一维?二维材料的纳米级发现的?开发,应用研究它们的电子特性测量和电子设备已经变得活跃[1]。安装这些材料逐个到良好的可控性电极,所述材料被分散在衬底上之后,在基板材料的由扫描型电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)的定位进行,的方法附接电极在电子束(EB)光刻使用。许多物质,损坏由SEM观察电子束照射,使用AFM的是优选的,除了观看AFM是窄,则难以识别在基板上的观察位置,实际的工作过程费力。在这项研究中,为了解决这一问题,位置信息显影的基板的嵌入H作为二维(2D)条形码图案,所述电特性实际上连接电极到CNT分散测量进行了在基质上。

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