大規模並列計算によるモンテカルロデバイスシミュレーションの高速化

摘要

モンテカルロ(MC)デバイスシミュレーションは、半導体デバイス中のキャリア挙動を高精度に解析できる反面、膨大な計算時間を要する欠点がある。本研究では、スーパーコンピュータ上での大規模並列計算を利用して極微細トランジスタの電気特性解析の高速化を試みた。特にシミュレーション実行中に頻繁に解く必要があるポアソン方程式の計算時間短縮に対して、高い並列化効果を得るための方法について考察した。