Mg2SiO4 セラミックスのLiF 添加による低温焼成とマイクロ波誘電特性

摘要

近年、情報通信技術は急速な発展をしており、情報通信の大容量化及び高速化に伴い利用周波数の高周波 数化が進hでいる。ミリ波帯などの高周波帯への利用には、低い比誘電率( εr )と高い品質係数( Q·f )をもつ 材料が求められている。さらに、通信機器の小型化と高機能化が進hでおり、IC チップなどの高周波モジュ ールでは高密度実装が進み、これにより、上述の誘電特性を持つ低温同時焼成セラミックス(LTCCs)の開発が 望まれている。本研究では、LiF の添加によってMgO-SiO2 系セラミックスの低温焼成[1]を行い、そのマイク ロ波誘電特性について検討した。