超並列電子線描画装置用nc-Si（ナノシリコン）面電子源のためのMEMS静電コンデンサレンズアレイの開発

摘要

超並列電子線描画装置は、ナノメートルオーダーの素子のマスクレス並列パターンニングを目標としている。これまでに、種々の電子線並列リソグラフィの開発が試みられてきており、次世代リソグラフィ技術の有力な候補となっている。それらのほとhどは電子源として熱電子銃とブランキングアレイ（電子ビームを通過させるか、曲げるかで直接描画を行う機構）を用いており、並列電子ビームの高速化、高密度化はブランキングに制限される。我々が構想する電子線並列リソグラフィは、電子源そのものを並列化することで、小さなエネルギーでビームを生成、制御する方式であり、各電子源への印加電圧の有無で高速にオン／オフできる。