半導体検査用片持ち梁型シリコンコンタクタの三次元配線技術

摘要

半導体デバイスの製造工程では，被検ウエハに形成されたAl製の電極パッドにプローブを接触させて，電気的特性検査が行わう。各回路の電気的特性検査は，90°C前後の温度環境下で各回路間の導通の良否を判定するプローブ検査と，125°C程度の温度環境下での熱的，電気的ストレスを回路に付与して，不良を加速選別するバーンイン検査との2種類の検査が行われている。半導体デバイスの高集積化，高速化および検査工程効率化に対応するため，プローブ数の増加や狭ピッチ化が要求されており，チップ単位で行われていた検査を一括検査できるプローブカードの要求が高まっている。