首页> 外文会议>日本金属学会秋期大会 >( P69-P0151) 単結晶Cu 集電体を用いた金属Li 負極の不均一析出抑制
【24h】

( P69-P0151) 単結晶Cu 集電体を用いた金属Li 負極の不均一析出抑制

机译:(P69-P0151)使用单晶Cu集电器的金属Li负电极的异质沉积抑制

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摘要

Li は、全金属中最も低い標準電極電位を有し、3 860mAh/g と高い容量を持つために、負極材料として期待されている。しかし、金属Li 負極は充放電により生じるデンドライトが短絡を引き起こすという問題を抱えている。この問題に対して様々な対策が試みられてきたが、析出形状変化に関して、負極の基板となる集電体に着目した研究はほとhどない。本研究では、多結晶および単結晶Cu を集電体としてLi を析出させることで、集電体の結晶方位と析出形状の変化を調べることを目的とした。
机译:Li在所有金属中具有最低标准电极电位,并且预期为负电极材料,具有高容量,具有3 860mah / g。然而,金属Li负电极存在由充电和放电引起的枝晶导致短路的问题。已经尝试了各种措施来解决这个问题,但关于沉积的变化,将重点放在集电体上的研究不是负电极基板的研究不是。在该研究中,它旨在通过作为集电器和单晶Cu沉淀Li来检查集电器的晶体取向和沉淀形状。

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