逆解析による感光体表面における1ドット電気潜像の再構成

摘要

そこで本研究では，逆解析手法の一つであるCT法の原理を適用し，線状電極を用いて，簡便，高速かつ高精度に感光体表面の1ドット静電潜像を測定する手法の開発を目的とする．Fig.1に測定法の概念図を示す．本手法では感光体表面に対向して線状電極を設置し，キャパシタを形成する．感光ドラムの回転により表面電位分布が移動するとともに，対向電極には静電誘導による電荷が誘起される．このときの電荷変化を線状電極容量と並列に挿入した既知容量とオペアンプにより電圧変換を行い，測定する．そして，様々な角度に電極を設置した場合のスキャンデータを収集し，CT法の原理を用いて感光体表面の2次元電位分布を同定する．本報告では提案手法の原理について述べた後，実験による解析例を示し，提案手法の有効性を示す．