ダイヤモンド膜生成用変調誘導熱プラズマにおけるC_2,Hスペクトルの立ち上がり継続時間依存性

摘要

今回，Si基板への照射ラジカル量をより詳細に制御するために，任意波形変調誘導熱プラズマ（AMITP）を用いた。AMITPはコイル電流を矩形波形状だけでなく様々な波形に変調可能である。このAMITPを用いたダイヤモンド膜生成条件において，Si基板プラズマ照射位置付近の分光観測をおこなった。変調波形は三角波から鋸波までの三角形状とし，C_2，Hスペクトル放射強度への影響を検討した。