Herstellung nano-skalierter Gassensoren unter Verwendung neuer Metalloxid-ALD-Precursormaterialien

摘要

Im Kontext der Miniaturisierung von Gassensoren bietet die Fabrikation von Metalloxidnanodrahten die Moglichkeit der Integration dieser auf CMOS-Chips (CMOS: engl. fur complementary metal oxide semiconductor). Dies ermoglicht den weitlaufigen Einsatz von Mikrosensoren zur Uberwachung unserer Umgebung hinsichtlich gesundheitsgefahrdender Gase. Neue ALD-Precursormaterialien (ALD: engl. fur atomic layer deposition) und deren minimale Schichtdicke besitzen das Potenzial fur hohe Sensitivitat und Selektivitat der Sensoren und stellen einen Fortschritt fur Mikrosensoren in der Industrie 4.0 dar. Die Machbarkeit solcher freistehenden 3D-Nanodrahtstrukturen und eines ebenso strukturierten Heizers, hergestellt in einem Mikrosystemtechnikreinraum, konnte demonstriert werden.