ALD-basierte, monolithisch integrierte 3D-Nanostrukturen

摘要

Das Fraunhofer IMS hat auf Basis von DRIE und ALD einen Post-CMOS-Prozess entwickelt, der zur Herstellung von 3d-Strukturen genutzt werden kann. Als Beispiel dieser Technologie werden Multi-Elektroden-Arrays (MEA) mit einem Ruthenium-Nano-Rasen fur biomedizinische Anwendungen vorgestellt.