C-V; GaN; InGaN; anomalous peak;
机译:用Au / GaN肖特基接触的可变频率电容-电压特性探测GaN外延层的深能级中心
机译:Cr / p-si肖特基势垒二极管(SBD)的正向偏置电容-电压中的负电容和异常峰的来源
机译:等离子刻蚀GaN的电流-电压和电容-电压特性的特殊性及其与n-GaN肖特基光电探测器的相关性
机译:Hg / GaN肖特基接触电容-电压特性异常峰的分析
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:石墨烯作为肖氏屏障接触到AlGaN / GaN异质结构
机译:用Au / GaN肖特基接触的可变频率电容-电压特性探测GaN外延层的深能级中心