graphene; AlGaN/GaN; Schottky diode; field-effect transistor; finFET; noise;
机译:使用富氮氮化钨薄膜增强AlGaN / GaN异质结构上的肖特基接触,可提高肖特基势垒高度
机译:使用富氮氮化钨薄膜增强AlGaN / GaN异质结构上的肖特基接触的肖特基势垒高度
机译:肖特基漏极接触对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管的应变AlGaN势垒层的影响
机译:AlGaN / GaN肖特基势垒二极管(SBD)的各种肖特基接触
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:石墨烯-MOTE2 van der Waves异质结构的应变和电场可控的肖特基障碍和接触类型
机译:石墨烯作为肖氏屏障接触到AlGaN / GaN异质结构