大気圧RF プラスマを用いたZnO 薄膜の高速形成と特性評価

摘要

液晶ディスプレイや太陽電池などの需要の拡大により、その部品の一つである透明導電膜が益々重要となっている。現在、透明導電膜の材料にはITO (Indium Tin Oxide)が主流に用いられている。しかし、ITO の原料であるIn は稀少金属で枯渇の恐れがあり、価格の高騰などによる供給不安も生じているため代替材料の開発が急務である。そこで、現在注目を浴びている材料がZnO である。ZnO は、ITO と比べ導電性は劣るものの、同等の可視光透過性を有し、エッチング耐性にも優れているため、様々な研究開発が行われている。一般に、ZnO 薄膜の形成法には、スパッタ法や低圧プラズマCVD 法などが挙げられる。しかし、いずれも低圧プロセスであるため、高価な真空装置を必要とし、スループット向上にも限界があるため製造プロセスの大幅な低コスト化は困難である。そこで、本研究では、高速でZnO 薄膜を形成することを目的とし、大気圧プラズマCVD 法によるZnO 薄膜成膜技術の開発を行っている。