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Si ウエハの計測評価技術におけるノイズフィルタに関する研究-Total variation を用いたフィルタ設計

机译:使用总体变化的Si晶圆滤波器设计测量评价技术噪声滤波器研究

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摘要

現在,半導体材料として用いられるSi ウエハは更なる高精度化が進められている.その中でSi ウエハは高平坦度化し,そのためにより高精度なSi ウエハ表面の計測が求められている.しかし,高精度計測になるほどSN 比が高くなり正確な計測は困難となる.図1 は振幅1 のsin 波に標準偏差0.1 とするガウスノイズを付加した信号のGBIR(最大値と最小値の差)を示したものである.ノイズが付加されることにより,GBIR が大きく出てしまうことがわかる.また,図2 は図1 のGBIR をサンプリング点数を変化させて計測し,その点数毎にプロットしたものである.サンプリング点数毎に100 回の計測を行い,その平均値を実線によって表している.たとえサンプリング点数を増やしてもGBIR は真値に収束することなく,複数回計測による平均値を取るだけでは除去することのできないBias が発生している.そのため,高精度な形状計測を実現するためにはディジタルフィルタによりノイズの除去を行い,Bias を発生させない事が重要となる.本研究では,これまでにWavelet transform を用いたディジタルフィルタの設計を行ってきた.今回,新たにTotal Variation を用いたフィルタ設計を考案し,その結果について述べる.
机译:目前,作为半导体材料的Si晶片具有进一步改善的准确度。其中,Si晶片是高度平坦化,需要高度精确的Si晶片表面的测量。然而,SN比高的高精度测量变得困难。图1示出GBIR(最大值和最大值的最小值和最小值)加到振幅1的SIN波作为0.1的标准偏差的信号的。由此可以看出,GBIR显著出来,加入噪音。此外,图2是由通过改变采样点的数量变化的图1的GBIR测定,绘制每个分数。的测量针对每个采样点进行100次,将其平均值由实线表示。即使采样点的数量增加,GBIR不收敛于真实值,而BIAS无法通过多次取平均值被删除。因此,为了实现高精度的形状测定,它由一个数字滤波器的噪声去除不产生BIAS是重要的。在这项研究中,我们已经使用Waveelet变换设计数字滤波器。这一次,我们设计采用新的全变差过滤器的设计和描述的结果。

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