首页> 外文会议>年度精密工学会大会学術講演会 >電子線リソグラフィによる超精密微細加工技術とその応用分野
【24h】

電子線リソグラフィによる超精密微細加工技術とその応用分野

机译:具有电子束光刻的超精密微型微制造技术及其应用

获取原文

摘要

電子線リソグラフイはナノオーダーの微細パターン生成を担う重要な技術であり、今後のナノテクノロジー発展のキー技術の一つである。しかし精細な電子線を制御して描画するため描画時間が長く、その制約から描画面積が限られる。現時点では大学及び研究機関での新機能デバイス研究などに用途が限定されており、本格的に工業生産で使用さているのは、半導体フォトマスクなど狭い分野に限られている。一方、開発用途ではさらなる微細加工性も要求されている。そこで、加速電圧100kVのスポットビームを用いた電子線描画装置(100kV-SB)と現在標準的に使用されている電子線レジスト(日本ゼオン製ZEP520A)を用いたプロセスの解像限界の追及を行った。課題であるスループット向上については、感度よりも解像性に重点を置いた化学増幅型レジストプロセスを開発した。その応用に関しては、ナノパターンの量産を可能にすると考えられているナノインプリント用モールド製造への応用を検討した。現時点で想定している応用分野は、対象寸法が20nm以下の次世代半導体および次世代HDDなどである。さらに、50nm以下のパターンが要求されている新たな分野への適用も行った。本報告では3つの開発例について報告する。
机译:电子束光刻负责纳米级的微细图案产生的重要技术,是纳米技术发展的关键技术之一。然而,由于细电子束进行控制和拉伸,绘图时间长,和绘图区域从约束限制。目前,应用仅限于新的功能器件的研究在大学和研究机构,他们在在操作中使用的全规模工业生产半导体的光掩膜的狭窄领域。同时,进一步微观机制也需要开发应用。因此,我们将使用利用一个点波束与为100kV的加速电压和电子束抗蚀剂的电子束(100千伏-SB)追求工艺的分辨率极限(ZEP 520A制造由Nippon Zeon,由Nippon Zeon生产)。稻田。为了提高吞吐量,这是一个问题,我们开发了一种化学放大的注册过程,重点不是灵敏度的分辨率。的应用程序的应用程序检查到模具生产nanoimprints,可以使大量生产纳米图案的。当前假设的应用是下一代半导体和下一代的HDD具有20nm或更小的目标尺寸。另外,在也被应用应用到新的领域50nm或更小被要求的图案。在这份报告中,我们提出了三个发展的例子。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号