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スプリットコイルを用いた MgB_2 バルクのパルス着磁による捕捉磁場 1.1T の実現

机译:分裂线圈MGB_2散装MGB_2批量脉冲磁化的实现。

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摘要

MgB_2 バルクのパルス着磁(PFM)においてflux jump が捕捉磁場を低減することは大きな問題であり、これまでの最大の捕捉磁場は、ソレノイド型コイルを用いて T_s=14 K で B_2=0.80T であった[1]。本研究では Flux jump の回避と捕捉磁場の増大を目的に、スプリット型コイルを用いた PFM 着磁を行い、ソレノイド型コイルを用いた着磁と比較した。その結果、flux jump は高磁場まで発生せず、さらに軟磁鉄ヨークの挿入により捕捉磁場が大きく向上し、T_s=13 K で B_z=1.1T を実現した。この結果は MgB_2 バルクの PFM による捕捉磁場の最高値である。
机译:Flux跳跃减少了MgB_2散脉磁化强度(PFM)中的捕获磁场是一个主要问题,并且到目前为止,最大捕获磁场是使用螺线管型线圈的T_S = 14k。B_2 = 0.80t [1]。在该研究中,使用分割型线圈进行PFM磁化,用于避免磁通跳跃和捕获磁场的增加,并与使用电磁型线圈的磁化相比。结果,通过插入软磁场进一步提高了磁通跳,并且通过插入软磁场进一步提高了捕获磁场,通过T_S = 13k实现了B_Z = 1.1T。该结果是MGB_2批量的PFM捕获磁场的最高值。

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