ストライプゲート型半導体pHセンサによるドリフト抑制の実現

摘要

長期間の連続計測を行う場合センサの出力が時間経過により減少してしまうドリフトと呼ばれる問題があった。この問題の解決のため、ストライプゲート型ISFETセンサを使用し、ドリフトの抑制を行った。センサの動作条件を変更し、得られた結果から、VREFは2.2 V、VGは0.2 Vが最適動作条件と求められた。この条件を用いて計測を行った結果、従来のセンサと比較してドリフト量を 0.013 倍に抑制でき、連続計測時間を 104.5 倍に延長することが可能となった。また、中性（pH6.86）以外の pHにおいても同様にドリフト抑制の効果が得られることが分かった。