Performance evaluation; Testing; Degradation; BiCMOS integrated circuits; Propulsion; Total ionizing dose;
机译:累积总电离剂量(TID)和瞬态剂量率(TDR)对平面和垂直铁电隧道场效应 - 晶体管(TFET)的影响
机译:具有基于La的外延栅极电介质的GaAs MOSFET中的总电离剂量(TID)效应
机译:源极/漏极和沟道凹陷的超薄体绝缘体上绝缘子(GOI)无结CMOSFET中的总电离剂量(TID)效应
机译:更新了Europa Clipper Mission的全电离剂量(TID)测试结果的汇编
机译:总电离剂量和剂量率对(正负)BJT带隙基准的影响
机译:γ射线总电离剂量(TID)对Ag / AlO转换行为的影响X/ Pt RRAM设备
机译:基于Jovian辐射环境的可变性,蒙特卡罗评价欧罗巴剪裁者TID边坡,采用特派团设计的应用
机译:在Nasa计划的低剂量率总电离剂量(TID)测试下评估高性能转换器