机译:纳米级硅基MOSFET中电子传输的二维量子力学模拟
机译:单栅MOSFET,未掺杂对称和非对称双栅SOI MOSFET的漏电流模型和量子力学效应:综述
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机译:纳米Si,SOI和III-V MOSFET中电子传输分析:Si / SiO2接口电荷和量子力学效应
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:考虑量子运输和载波散射效应的CMOS性能指标的全面的N和PMOSFET信道材料基准和分析