Performance evaluation; Integrated circuits; MOSFET; Solid modeling; Simulation; Metals; Switches;
机译:双金属栅极叠层工程结累积圆柱围栏(DMGSE-CAM-CSG)MOSFET的分析建模
机译:累积模式无结圆柱型环绕式栅极MOSFET的中心电场和阈值电压
机译:添加到绝缘浅延伸(ISE)圆柱围栏(CSG)MOSFET的模拟RF性能评估结合栅极堆叠
机译:具有高k栅极堆栈的双层双栅极连接累积模式圆柱形圆柱栅极的研究,高功率数字应用
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:双金属双栅极高k堆叠(DMDG-HKS)MOSFET的模拟和RF性能评估