机译:SiC和GaN宽带隙半导体材料和器件
机译:具有E模式P-GaN门HEMT和D模式SIC结域效应晶体管的1200V GAN / SIC CASCODE器件
机译:在无阶梯4H-SiC台面衬底上生产的3C-SiC和2H-AlN / GaN膜及器件的生长和表征
机译:低记忆效应装置的SiC材料碳掺杂GaN
机译:4H-SIC和2H-GAN垂直超结(SJ)设备的性能限制
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
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机译:GaN-ON-siC和GaN-ON-DIamOND高电子迁移率晶体管(HEmT)器件中声子传输的测量。