Compensated; silicon; solar grade; characterization; Hall effect; GDMS; SIMS; ICP-MS; metallurgic; purification; recycling; co-doping;
机译:补偿的n型和p型直拉硅片中的电阻率,掺杂浓度和载流子迁移率:测量和仿真的比较以及材料参数的一致描述
机译:净掺杂,过量载流子密度和退火对补偿n型硅中硼氧相关缺陷密度的影响
机译:用霍尔,CV和结击穿技术测量的铟掺杂硅的掺杂浓度
机译:补偿N型硅测量掺杂浓度测量的比较
机译:重掺杂N型硅中的少数族裔载运子(发射极,磷表皮,双极晶体管,能隙窄带,太阳能电池)。
机译:通过辉光放电光谱研究掺杂元素来表征非晶硅薄膜。电导率和带隙能量测量的相关性
机译:补偿n型硅中掺杂浓度测量的表征技术比较
机译:不同压制技术制备n型硅锗热电合金的比较