Crystal orientation; Quantum well; InGaAs; Valence band; Transition momentum matrix;
机译:AlGaAs / GaAs / Algaas井中GASB量子环的线性和非线性光学性能的操纵,ALAS / GAAS / INGAAS / ALAS双量子阱
机译:通过Gaassb,IngaAs和Ingaassb应变减少层纵向InAs / GaAs量子点的光学性质
机译:具有InAs / InGaAs量子阱的变质GaAs / InAlGaAs / InGaAs异质结构的光学性质,在1.250-1400 nm光谱范围内发光
机译:InGaAs / GaAs量子阱的晶体学取向相关光学性质
机译:InGaAs / GaAs多量子阱中的缺陷产生:晶体和光学特性与外延生长条件的相关性。
机译:掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
机译:气源分子束外延生长InGaAs / GaAsBi / InGaAs II型量子阱的光学性质和能带弯曲
机译:InGaas / Gaas多量子阱波导中取向相关的相位调制