half select problem; write stability; bit-interleaving;
机译:具有内置写/读辅助方案的半选型无干扰11T SRAM单元,用于超低压操作
机译:内部写回和写前读取方案消除了对SRAM中半选单元的干扰
机译:接近阈值的10T差分SRAM单元,具有三门Finfin技术的高读写余量
机译:一个新的10T SRAM单元,具有改进的读/写余量,无半选择打扰位交错架构
机译:8端口S-RAM存储单元,可同时进行8次写入或16次读取。
机译:IRF4基因调控模块充当读写整合子可动态协调T辅助细胞的命运
机译:10T SRAM细胞的设计改进的读取性能和扩展写余量