GeSbTe; phase change lithography; XPS; selective wet etching mechanism;
机译:四甲基铵热光刻法选择性刻蚀Ge_2Sb_2Te_5相变薄膜
机译:四甲基铵热光刻法选择性腐蚀Ge 2 sub> Sb 2 sub> Te 5 sub>相变薄膜
机译:用于相变存储器的Ge {sub} 2Sb {sub} 2Te {sub} 5薄膜的湿蚀特性
机译:XPS研究Gesbte相变薄膜与四甲基氢氧化物的选择性湿法蚀刻机理
机译:基于八氟环丁烷的等离子放电的特征,用于二氧化硅和低K介电薄膜的选择性刻蚀和处理。
机译:氢氧化四甲铵/异丙醇湿法刻蚀对AFM光刻制备的硅纳米线的几何形状和表面粗糙度的影响
机译:四甲基铵在热光刻中选择性湿蚀刻Ge2Sb2Te5相变薄膜