机译:采用高k栅极电介质/金属栅极堆叠的覆盖层的厚度和材料对平坦带电压(V_(FB))和等效氧化物厚度(EOT)的依赖性,适用于先栅工艺应用
机译:集成高k /金属栅极:先栅极还是后栅极?
机译:先栅极后栅极工艺对使用原子层沉积Al_2O_3和HfO_2氧化物的In_(0.53)Ga_(0.47)As金属氧化物半导体电容器的界面质量的影响
机译:介电封盖层插入到栅极 - 第一/栅极 - 最后一体集成中的高k金属栅极堆叠中的现象
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:使用Ti / TiN覆盖层插入金属/高k门堆叠的远程清除技术