Interface Properties of La-silicate MOS Capacitors with Tungsten Carbide Gate Electrode for Scaled EOT

机译：碳化钨栅电极为缩放EOT的La-硅酸盐MOS电容的界面性质

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Interface properties of La-silicate gate dielectrics with tungsten carbide gate electrode have been investigated. Utilizing multi-stacking of tungsten and carbon thin films, W_2C was found to be formed on n-Si (100) by annealing at 750 °C for 20 minutes in N_2 ambient. Improvements in interface properties have been observed using W_2C gate electrode.

机译：研究了用碳化钨栅电极的La-硅酸盐栅极电介质的界面性能。利用钨和碳薄膜的多堆叠，发现在N-Si（100）上通过在N_2环境中在750℃下进行20分钟来形成W_2C。已经使用W_2C栅电极观察了接口特性的改进。

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来源
《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》|2012年||共4页
会议地点
作者
K. Tuokedaerhan; R. Tan; K. Kakushima;
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正文语种
中图分类 TQ15-532;
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