机译:共同优化金属栅极/高k堆栈,以实现EOT =〜1 nm的高90%SiO {sub} 2通用迁移率的高场迁移率
机译:MOS器件基于物理的量子力学紧凑模型,通过超薄(EOT〜1 nm)SiO {sub} 2和高k栅叠层注入衬底的隧道电流
机译:利用超薄$ hbox {SiO} _ {X} $改进的Ge表面钝化,实现具有HfSiO / WN栅叠层的高迁移率表面沟道pMOSFET
机译:用于实现超薄EOT栅极叠层的高迁移率沟道材料的MOS接口控制
机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:具有TiO2栅极电介质的超薄VO2通道中的正偏置栅极控制的金属-绝缘体过渡
机译:具有不同表面和沟道方向的散装,超薄体SOI和双栅极N-MOSFET的低场移动模型 - I:基本原则