MOCVD; AlGaN/GaN HEMT; Patterned Si substrate; Double AlN interlayers;
机译:使用超薄AlN / GaN超晶格中间层通过MOCVD在4英寸Si(110)衬底上生长的高质量GaN膜和AlGaN / GaN HEMT
机译:具有通过MOCVD生长的AlN中间层的AlGaN / GaN / InGaN / GaN DH-HEMTs结构
机译:MOCVD使用双Aln中间层的图案Si(111)衬底上的AlGaN / GaN Hemts的生长特性
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:具有通过MOCVD生长的AlN中间层的AlGaN / GaN / InGaN / GaN DH-HEMTs结构