Strained-Si_(1-x)Ge_x; Electron mobility; Electron effective mass; Alloy disorder scattering;
机译:合金无序散射对应变Si_(1-x)Ge_x / Si(101)电子迁移率模型的影响
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机译:在松弛的Si_(1-x)Ge_x缓冲层上生长的应变硅/应变硅(1-y)Ge_y /应变硅异质结构中改善了热稳定性和空穴迁移率
机译:合金障碍散射对应变Si_(1-X)Ge_x / Si(101)的电子迁移率模型的影响
机译:使用TDPAD技术研究铁(1-x)-锗(x)合金中导电电子的自旋密度振荡。
机译:多维方法结合气相电泳迁移率分子分析(GEMMA)光散射场流分级分离和低温电子显微镜来表征脂质体载体囊泡
机译:Si_(1-x)Ge_x合金纳米线的晶格导热系数散射散射:理论研究
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型