4H-SiC; MOSFET; Transducer; High-temperature; Harsh environment;
机译:基于4H-SIC MOSFET的集成电路高温可靠性,具有苛刻环境应用的NI / NB欧姆触点
机译:恶劣环境,高温和高伽玛射线辐射下的4H-SiC nMOSFET的特性
机译:适用于恶劣环境应用的具有稳定保护层的4H-SiC MOSFET
机译:用于苛刻环境应用的温度范围为25至600°C的横向4H-SIC MOSFET的电气表征
机译:基于周期性结构的用于恶劣环境应用的无源无线温度传感器的建模和初步表征。
机译:TiCrWTa和Pt作为种子层在γ-Al2O3上电沉积铂膜的高温和苛刻环境应用能力的研究
机译:4H-SIC MOSFET中SIO2 / 4H-SIC接口的表征:综述
机译:4H-siC JFET晶片的电特性:极端温度IC设计的直流参数变化。