Modeling; Double crucible; Heat transfer; Silicon; Single crystal; CZ growth; Hot zone; Impurity diffusion;
机译:双坩埚在Cz Si晶体生长中的应用
机译:熔融供应双坩埚直拉法(DC-CZ)法生长原硅酸((LSO)的晶体
机译:晶体和坩埚旋转在旋转磁场中Cz晶体生长的数值模拟
机译:双坩埚在Cz Si晶体生长中的应用
机译:I.双曝光全息照相法在测量孔隙中岩石原位应力和弹性模量中的应用。二。熔融石英和结晶氯化钠达到35 GPA时的冲击温度测量。
机译:注入碳离子的Cz和FZ硅晶体中氧配合物的结构和电学性质
机译:通过双坩埚法在连续喂养的Czochralski-硅晶体生长中控制氧气杂质