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Freilaufdioden aus Silizium - Schaltverhalten, Robustheit

机译:常飞二极管由硅 - 切换行为,鲁棒性

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摘要

Auch Freilaufdioden fur hohe Leistung konnen auf Soft-Recovery und sehr hohe Robustheit ausgelegt werden. Der Schlussel fur die erforderliche Beherrschung des Abbaus des internen Ladungstragerplasmas liegt am (nn)~+-Ubergang. Dort konnen geeignete Strukturen im kritischen Betriebszustand Locher injizieren. Damit werden wieder Freiheitsgrade zur Verbesserung der Stossstromfestigkeit und Hohenstrahlungsfestigkeit gewonnen.
机译:续流二极管也可以设计用于高性能的软恢复和非常高的鲁棒性。所需控制内部电荷载体等离子体的劣化的关键是(NN)〜+过渡。可以在临界操作状态冲头中注入合适的结构。这增加了改善冲击电流强度和高辐射强度的自由度。

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