樹脂パッドと電界砥粒制御技術を適用した低ダメージ機械研磨技術の開発

摘要

SiC，GaNに代表されるワイドパンドギャップ半導体結晶の製造方法として，種々のベース基板上にエピタキシャル成長を行い，高品位な結晶を得る手法が広く用いられている．本手法において，ベース基板となるSC，サファイア基板には，原子レベルでひずみの無い表面品位が求められる．したがって，基板加工プロセスで形成される加工変質層は，最終工程である化学機械研磨（CMP）工程にて完全に除去する必要がある．しかし，SiC，サファイアは高硬度かつ高い化学安定性を有する難加工材料であり，CMPにおける研磨効率は低い．これより，CMP工程の加工コストは増大し，基板製造コストの押し上げ要因となっている．本課題に対し，CMP工程単独の高効率化には限界があり，加工工程を総合的に捉えたアプローチが必要である．そこで，本研究では，CMP工程の前工程であるダイヤモンドラッピング工程に着目し，高効率かつ形成される加工変質層深さを抑制可能な新たな機械研磨技術を開発する．これより，CMP工程の必要除去量を低減し，基板製造工程全体のコスト低減に貢献することを目的とする．