マイクロ波プラズマジェットを用いた単結晶ダイヤモンド基板の数値制御平坦化－Ar+O_2プラズマジェットの加工特性

摘要

マイクロ波プラズマジェット装置を用いた単結晶ダイヤモンド基板の加工特性を評価した．Arガス流量0.3slm，O_2ガス流量3.0slmの条件でエッチングをおこなった結果，60μm/hのエッチングレートが得られた．Arガス流量を増加させることでエッチングレートが増加し，Arガス流量0.7slmでは174μm/hのエッチングレートが得られた．エッチングレートの増加は活性酸素種の増加とダイヤモンド基板温度の上昇に起因すると示唆された．また，ラマン分光測定ではプラズマ照射によるダイヤモンド基板のグラファイト化は見られなかった．