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数値制御プラズマCVMにおける高精度·高能率化に関する研究(第1報)-V-PCVM法による石英ガラス基板の高能率平坦化加工

机译:V-PCVM方法高精度高精度和高效率高效平面化研究v-PCVM方法

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摘要

次世代のリソグラフィー技術として期待されているEUVリソグラフィー用のフォトマスクには25nm以下の平坦度が求められている.要求される平坦度をラッピングとポリシングのみで達成することは困難であり,なhらかの修正加工が必要である.従来の機械的な手法による修正加工は工具と加工対象物間の相対運動が加工対象物へと転写されるという母性原理に基づいている.したがって,熱や振動などの外乱の影響によって工具と加工対象物の接触状況が変化し,加工特性が変化するため,要求される平坦度を得ることは困難である.そこで,プラズマを用いた非接触加工が注目されている.数値制御プラズマCVM(NC-PCVM)はプラズマ中で生成した反応活性種と加工物表面間の化学反応を利用した超精密形状創成法である.現在,大気圧プラズマCVM(Atmospheric Pressure PCVM:AP-PCVM)には主として2つの課題が存在する.1つ目は加工レートが小さいことである.我々は石英ガラス基板の平坦度を向上させることを目的としているが、現状では150mm角程度の大きさの基板を平坦化する際に2時間程度要しており,加工の高能率化が求められている.2つ目は基板端部を加工する際に,アース側である試料台が露出した部分でアーク放電が発生し,安定したグロー放電を維持できないことである.基板中央部と端部で加工特性が異なることで,基板端部の加工精度が悪化してしまう.さらに,アーク放電が発生した部分では基板にダメージが導入されてしまう.加工の高精度化を達成するためには,基板端部においても基板中央部と同様の安定したグロー放電を発生させることが要求される.そこで我々は1/10気圧前後の減圧雰囲気下でプラズマを発生させ,加工を行う減圧プラズマ CVM (Vacuum-PCVM:V-PCVM)を提案した.減圧プラズマは大気圧プラズマと比較して,加工レートが大きく,基板端部においてもアーク放電へ移行しにくい.本報ではV-PCVMを適用した場合の石英ガラス基板に対する加工レートおよび基板端部におけるプラズマの安定性に関する調査結果を報告する.
机译:为25nm平整度或更小所需的光掩模用于EUV光刻期待作为下一代光刻技术。只有包裹和警示难以实现所需的平坦度,并且有必要修复H或HaKA。传统的机械方法修改处理基于母体原理,即工具与要处理的物体之间的相对运动被转移到要处理的物体上。因此,由于干扰等的热或振动的影响,该工具与物体的接触状态将被处理的变化,并且由于加工特性变化,所以难以得到所要求的平坦度。因此,使用等离子体的非接触式处理是引起关注的。数值控制等离子体CVM(NC-PCVM)是使用等离子体中产生的反应活性物质和表面之间的化学反应的超精密形状的产生方法。目前,大气压PCVM(AP-PCVM)中存在两个主要问题。第一个是,处理率是小的。我们的目的是提高石英玻璃基板的平面度,但目前,在基片的平面化的,其尺寸约为150平方毫米,则需要的时间为2小时,并且需要处理的高效率。ING。第二是在处理基板端时,在样品表的部分中发生电弧放电,该部分是接地侧,并且不能保持稳定的辉光放电。基板端部的处理精度在基板的中心和端部处的不同处理特性劣化。此外,在发生电弧放电的部分中,将损坏引入基板。为了实现高精度的加工,即使在基板端也需要产生与基板的中心部分类似的稳定辉光放电。因此,我们提出了一个减压等离子体CVM(真空PCVM)CVM(真空PCVM:V-PCVM)被前和1/10大气压后在真空环境下进行处理。降低的压力等离子体在很大程度上用大气压等离子体加工,即使在基板端也难以移动到电弧放电。在本报告中,我们在施加V-PCVM时向基板末端的过程速率和等离子体稳定性报告调查结果。

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