BPL S01; diffusion of B-Ga-Al; process modeling andsimulation; retrograde impurity distribution; lateral super-high voltage devices;
机译:植入氧晶片中绝缘体上硅层中电子陷阱状态的深入剖析以及绝缘体上硅/埋入氧化物界面附近的局部机械应力
机译:室温粘合硅在绝缘体晶片上,具有通过退火的沉积硅氧化层和表面活化粘合而形成的致密掩埋氧化物层
机译:在室温下通过表面活化粘合用碳化硅绝缘层的绝缘体晶片在绝缘体晶片上制造
机译:用B-Ga-Al扩散工艺在具有掩埋P型层的绝缘体晶片上制造硅的方法和模型
机译:红外焦平面阵列用硅化铂/ p型硅和硅化铱/ p型硅肖特基势垒光电探测器的制造,微观结构表征和内部光响应
机译:多晶硅片上扩散长度分布的通孔研究光致发光方法
机译:注入氧的绝缘体上硅(SOI)层中砷和硼扩散的测量和建模
机译:用于红外焦平面阵列的铂硅化物/ p型硅和铱硅化物/ p型硅肖特基势垒光电探测器的制造,微观结构表征和内部光响应